Сотрудники кафедры «Информационные системы и радиотехника» и Научно-исследовательской лаборатории проблем проектирования в экстремальной микроэлектронике ИППМ РАН и ДГТУ приняли участие в XV научно-технической конференции специалистов «Твердотельная электроника. Cложные функциональные блоки РЭА» (27-29 сентября 2017 г., г. Москва – Дубна).
На конференции рассмотрены актуальные вопросы микроэлектроники, полупроводниковых приборов различного назначения, методов и средств проектирования, проблемы качества и надежности в производстве микросхем.
Предложения ДГТУ в области микросхемотехники были представлены в следующих докладах:
Метод повышения быстродействия операционных усилителей в инвертирующем включении (Н.Н. Прокопенкo, А.С. Будяков, А.В. Бугакова, Н.В. Бутырлагин);
Влияние быстрых электронов и гамма-квантов на коэффициент усиления по току базы SiGe транзисторов (О.В. Дворников, В.Л. Дятлов, Н.Н. Прокопенко, А.В. Бугакова, В.А. Чеховский, А.С. Будяков);
Компактная SPICE модель для расчета электрических характеристик SiGe ГБТ при криогенных температурах (К.О. Петросянц, О.В. Дворников, Н.Н. Прокопенко, М.В. Кожухов, Будяков А.С., Будяков П.С.).
Организаторами и участниками конференции стали различные научные организации и производственные предприятия России:
- Министерство промышленности и торговли ГК «Российские технологии»;
- АО «Российская электроника»;
- Академия инженерных наук имени А.М. Прохорова;
- АО «Научно-производственное предприятие «Пульсар»;
- Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН;
- Финансовый университет при правительстве РФ;
- Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики;
- Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»;
- Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН.
По итогам XV Научно-технической конференции "Пульсар - 2017" подготовлен сборник трудов, в котором представлены тезисы докладов.
