Новости

МЭС-2018

Создано 05 Октябрь 2018

Всероссийская научно-техническая конференция (МЭС-2018), посвященная актуальным вопросам автоматизации проектирования систем на кристалле, IP-блоков и новой элементной базы микро- и наноэлектроники, состоялась в г. Зеленограде с 1 по 5 октября 2018 года. Руководителем секции 6 «Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС» был назначен д.т.н., проф. ДГТУ Прокопенко Н.Н.

Рабочие заседания конференции проходили в рамках 12 параллельно работавших научных секций:
• Логический синтез и логическое моделирование в САПР СБИС.
• Моделирование электрических характеристик СБИС.
• Автоматизация топологического проектирования в САПР СБИС.
• Верификация и тестирование.
• Высокопроизводительные вычислительные микроэлектронные системы.
• Проектирование аналоговых и смешанных функциональных блоков СБИС.
• Проектирование цифровых функциональных блоков СБИС и подсистем СБИС.
• Цифровая обработка и кодирование сигналов.
• Проектирование электронной компонентной базы.
• Проектирование радиационно-стойких СБИС и элементов для космической техники.
• Решение сетевых и алгоритмических задач.
• Физические явления в материалах микроэлектроники и их использование для разработки новой элементной базы.

Всего на конференции заслушан 131 доклад, среди которых 4 пленарных и 4 аналитических. В рамках конференции МЭС проведен ставший традиционным Круглый стол. Его тематика - «Электронная компонентная база для отечественных разработок. Состояние и перспективы развития».

На конференции Прокопенко Н.Н. (ДГТУ, кафедра ИСиРТ) был представлен аналитический доклад «Аналоговые интерфейсы на основе дифференциальных и мультидифференциальных операционных усилителей: проблемы проектирования и пути их решения», а также доклад на «Круглом столе» – «Проблемы проектирования радиационно-стойкой и низкотемпературной аналоговой ЭКБ».

Кроме этого, от ДГТУ было представлено 3 доклада, посвященных актуальным проблемам микросхемотехники:
• Проектирование компараторов напряжений на базе элементов радиационно-стойкого низкотемпературного BiJFET базового матричного кристалла МН2ХА030 (О.В. Дворников, В.А. Чеховский, В.Л. Дятлов, Н.Н. Прокопенко, П.С. Будяков);
• Низкочувствительный активный RC-фильтр второго порядка с расширенным частотным диапазоном (Д.Ю. Денисенко, Н.Н. Прокопенко);
• Проектирование токовых элементов памяти на основе математического аппарата линейной алгебры (Н.В. Бутырлагин, Н.И.Чернов, Н.Н. Прокопенко, В. Югай).

Сборник трудов конференции МЭС включен в Перечень ВАК (список от 20.10.2017, поз. 1838) российских рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук.

Конференция МЭС 2018 приняла важные решения, касающиеся основных направлений развития микроэлектроники и САПР в России.